چکیده مقاله
این مقاله به تحقیق در مورد ترانزیستورهای مبتنی بر تکنولوژ های CMOS و CNTFET پرداخته و ضمن بررسی مزایا و معایب هر کدام، توپولوژی های مختلف اسیلاتورهای حلقوی را نیز مورد مطالعه قرار می دهد همچنین، در این مقاله مداری جدید برای بررسی اسیلاتورهای حلقوی بر مبنای ترانزیستورهای CNTFET , CMOS طراحی می شود در طراحی مدار اسیلاتور حلقوی مورد نظر از دو طبقه اینورتر معمولی و یک طبقه اینورتر CURRENT STARVED شبیه سازی شده و مقدار توان مصرفی آن در فرکانس کار 4GHz بدست می آید مقایسه نتایج بدست آمده نشان می دهد که مدار شبیه سازی شده با تکنولوژی CNTFET از لحاظ توان مصرفی بسیار مناسب تر از مدار شبیه سازی شده با تکنولوژی CMOS است
کلیدواژهها
نویسندگان
امین جاجرمی
استادیار گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه بجنورد
محسن میرقراچولو
کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، موسسه آموزش عالی اشراق
شیوه ارجاع
�اجرمی، امین و میرقراچولو، محسن،1395،طراحی و شبیه سازی یک اسیلاتور حلقی توان پایین با تکنولوژی CNTFET و مقایسه آن با تکنولوژی CMOS،دومین کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق وکامپیوتر،اسفراین
ارائهشده در
مجموعه مقالات دومین کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق وکامپیوتر7 مهر 1395 · اسفراین