ATON: مدلی برای معادله مقاومت - ولتاژ ممریستور، بر اساس نتایج ساخت

چکیده مقاله

در این مقاله، پیاده سازی یک مدل ساده و جدید به نام ATON را ارایه می کنیم ATON را منحصرا برای مدل سازی ممریستور اکسید نایوبیوم در نظر گرفته ایم ورودی ATON، تنها 9 کمیت فیزیکی است خروجی ATON، منحنی و داده های عددی تغییرات مقاومت ممریستور بر حسب ولتاژ دو سر آن است ATON را در محیط متلب، تولید کرده ایم برای راستی آزمایی ATON، منحنی جریان – ولتاژ آن را با نتایج اندازه گیری ساخت مقایسه می کنیم فرم تابعی منحنی جریان – ولتاژ ATON، مطابق منحنی ساخت می باشد حداکثر خطای سیستماتیک مطلق جریان ATON، 8 9 میلی آمپر است خروجی ATON، نشان می دهد که مقدار مقاومت حالت قطع ممریستور برابر با 280 کیلو اهم و مقدار مقاومت حالت وصل آن برابر با 9 اهم است محدوده ولتاژ مجاز کاری ممریستور را ازصفر ولت تا 10 ولت استخراج کرده ایم مقدار ولتاژ مرزبین حالت وصل و قطع را 6 51 ولت به دست آورده ایم بهترین محدوده مقاومت تفاضلی منفی، بین 20 کیلو اهم تا 75 کیلو اهم است ولتاژ بایاس متناظر با محدوده مقاومت تفاضلی منفی را به ترتیب 0 8 ولت تا 0 1 ولت به دست آوردیم دمای کار را 298 درجه کلوین و محدوده ولتاژ را مثبت گرفتیم

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

احمد اتقیایی

استادیار، گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اسلامشهر، استان تهران

�تقیایی، احمد،1397،ATON: مدلی برای معادله مقاومت - ولتاژ ممریستور، بر اساس نتایج ساخت،چهارمین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در برق و کامپیوتر و صنایع،اسفراین

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات چهارمین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در برق و کامپیوتر و صنایع18 مهر 1397 · اسفراین