چکیده مقاله
در این مقاله، درمورد مواد دوبعدی از جمله سیلیسین در زمینه پیشرفت های علمی و فن آوری در دستگاه های اسپینترونیک به خصوص ترانزیستورهای اثرمیدان اسپینی بحث می کنیم ظهور اخیر مواد لایه ای دوبعدی، گرافن و دیکالکوژنایدهای فلز واسطه راه جدیدی را برای کشف درجات کوانتومی داخلی آزادی الکترون ها و پتانسیل آن ها برای الکترونیک جدید باز کرده است مواد دوبعدی به دلیل ابعاد ضخامت نهایی و خواص فیزیکی منحصربه فرد، برای نانوالکترونیک جذاب هستند بعد از اولین نمایش بدون ابهام انتقال اسپینی درگرافن که به طور شگفت انگیزی در دما اتاق صورت گرفت، به سرعت درک شد که این ماده جدید، هم برای کاربردهای بنیادی اسپینترونیک و هم برای کاربردهای آینده مناسب هستند دهه گذشته، یعنی از زمان کشف مجدد مواد مختلف دوبعدی جدید، به ویژه برای اسپینترونیک خلاقانه بوده است سیلیسین آلوتروپ دوبعدی سیلیکون، به عنوان یک ماده امیدبخش برای اسپینترونیک به خصوص برای کانال ترانزیستور اثرمیدان اسپینی درنظرگرفته می شود در اینجا مروری به مواد دوبعدی ازجمله سیلیسین، اسپینترونیک به خصوص ترانزیستورهای اثرمیدان اسپینی و مدل سازی تئوری و جزئیات محاسباتی این مباحث را ارائه می دهیم نانونوار سیلیسین زیگزاگ ZSiNR به عنوان کانال ترانزیستور اثرمیدان اسپینی با گیت چهارتایی معرفی می شود نسبت پایین روشن / خاموش به کانال کوتاه ۳/۳۸ آنگستروم است که توسط هرجفت الکترود در این شبیه سازی محدود به منبع محاسباتی کنترل می شود، که به دلیل اثر تونل زنی منجربه مقدارمشخصی جریان نشتی درحالت خاموش می شود حداکثر نسبت رسانایی یا هدایت روشن / خاموش دستگاه حاضر ۱۸ است اگرطول کانال افزایش یابد، نسبت روشن به خاموش بالاتری انتظار می رود، زیرا نشت دو جریان اسپینی هر دوکاهش خواهد یافت
کلیدواژهها
نویسندگان
حسین ن نیک نژاد
مدرس دانشگاه ملی مهارت فنی و حرفه ای استان زنجان، گروه مهندسی برق الکترونیک و کامپیوتر، زنجان، ایران
شیوه ارجاع
ن نیک نژاد، حسین،1403،بررسی اسپینترونیک مبتنی بر مواد دوبعدی: ترانزیستور اثرمیدان اسپینی تک لایه سیلیسین،ششمین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در مهندسی برق، کامپیوتر و صنایع،اسفراین
ارائهشده در
مجموعه مقالات ششمین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در مهندسی برق، کامپیوتر و صنایع15 آبان 1403 · اسفراین