چکیده مقاله
جریان تونل زنی اکسید گیت در ماسفت ها یکی از مهمترین عوامل در تحلیل و اندازه گیری پارامترهای این قطعات است در کار پژوهشی حاضر، ابتدا اثر جریان گیت در ترانزیستورهای ساخته شده در فناوری روز نیمه هادی بررسی شد و لزوم محاسبه آن ذکر شد و سپس با استفاده از مدلی جدید به محاسبه ی عرض چاه پتانسیل ایجاد شده در ناحیه ی وارونگی و همچنین تابع موج الکترون ها در واسط بین اکسید و نیمه هادی پرداخته شد و در نهایت به کمک نتایج حاصل از این محاسبات چگالی جریان تونل زنی گیت شبیه سازی شد عملکرد لایه ی وارونگی به شکل یک چاه پتانسیل متقارن ساده سازی شده است تابع موج به دست آمده از مدل پیشنهادی در واسط، مقداری غیر صفر است که از سازگاری بیشتری با نتایج تجربی جدید ارایه شده در مقالات معتبر برخوردار است نتایج شبیه سازی های مدل پیشنهادی با مدل های معتبر دیگر مقایسه شد و انطباق بالای آن را نشان داد
کلیدواژهها
نویسندگان
حسن مسلمی
مجتمع آموزش عالی فنی و مهندسی اسفراین
ایمان عباسپور
دانشگاه سلمان فارسی کازرون
مهرداد عمیدی
دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کازرون
شیوه ارجاع
مسلمی، حسن و عباسپور، ایمان و عمیدی، مهرداد،1394،محاسبه جریان تونل زنی گیت در ترانزیستورهای MOSFET با عایق گیت نازک،کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق وکامپیوتر،اسفراین
ارائهشده در
مجموعه مقالات کنفرانس ملی دستاورهای نوین در برق وکامپیوتر8 مهر 1394 · اسفراین