مدلسازی جریان کوانتمی درنانوترانزیستورهای گرافنی دو لایه

چکیده مقاله

گرافن دارای ویژگی باور نکردنی انتقال حامل با کاربرد زیاد در سطح تک ملکولی می باشد نانو نوارهای گرافنی در ساخت ترانزیستورها، مدارهای مجتمع، ساطع کننده های مادون قرمز، سنسورها و کاربرد دارند از آنجایی که لبه های گرافن تعیین کننده خواص الکتریکی آن هستند، می توان آن ها را به دلیل شکل متفاوتشان تحت کنترل در آورد در این مقاله گرافن نانو ریبون دو لایه BGN مورد بررسی قرار می گیرد که دارای دو ساختار متفاوت از نظرلبه می باشد ساختار AA از BGN دارای خواص فلزی است در حالیکه ساختار AB دارای خواص نیمه هادی با انرژی باند در حدود 02/0 ولت است در اینجا ابتدا پلت فرم پایه ترانزیستور شاتکی برای گرافن نانو ریبون دو لایه مدل سازی شده است سپس ضریب انتقال به عنوان عامل اصلی انتقال مورد بحث قرار گرفته و خواص کوانتومی آن با توجه به پارامترهای ساختاری تجزیه و تحلیل می شود در پایان جریان کوانتمی را به دست آورده و با داده های تجربی مقایسه می کنیم که بین مدل پیشنهادی و داده های تجربی هماهنگی خوبی وجود دارد

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

سیدنورالله هدایت

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران

Mohammad Taghi Ahmadi

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ارومیه، ارومیه، ایران

هدایت، سیدنورالله و احمدی، محمدتقی،1396،مدلسازی جریان کوانتمی درنانوترانزیستورهای گرافنی دو لایه،سومین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در برق وکامپیوتر و صنایع

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در برق وکامپیوتر و صنایع19 مهر 1396