چکیده مقاله
سول های حافظه از اساسی ترین اجزا مدارات دیجیتال بخصوص در ساخت حافظه سریع کامپیوتر کش می باشد روند رو به رشد سیست های قابل حمل، طراحان حافظه های SRAM را به سمت تکنولوژی های نوین برای بهبود عملکرد انواع حافظه بخصوص SRAM کشانده است با ظهور نانولوله های کربنی و به تبع آن ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی، تحول چشمگیری در عرصه ی مدارات الکترونیکی روی داده است و بدلیل مزایای قابل توجه، حافظه های کامپیوتری نیز به کمک این تکنولوژی پیاده سازی شده اند در این مقاله سلول حاظفه متداول، معرفی شده و به بررسی عملکرد، بهبود و شبیه سازی یک سلول حافظه ی استاتیک با استفاده از ترانزیستورهای نانولوله کربنی می پردازیم بدین منظور تاثیر تغییر پارامترهای مختلف نانولوله های کربنی مانند تعداد نانولوله ها، فاصله ی نانولوله ها از یکدیگر، کایرالیتی نانولوله ها و همچنین تاثیر تغییر طول کانال در ترانزیستورهای حافظه بر روی مشخصه های خروجی بررسی شده و تاثیر هر پارامتر معرفی می شود
کلیدواژهها
نویسندگان
علی حسین هژیرجوان
گروه الکترونیک، واحد شهرقدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
مژده مهدوی
گروه الکترونیک، واحد شهرقدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
مهدی زارع
گروه الکترونیک، واحد شهر قدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
شیوه ارجاع
هژیرجوان، علی حسین و مهدوی، مژده و زارع، مهدی،1398،بهبود عملکرد حافظه SRAM در تکنولوژی نانولوله کربنی،دومین کنفرانس بین المللی تحقیقات بین رشته ای در مهندسی برق، کامپیوتر، مکانیک و مکاترونیک در ایران و جهان اسلام،کرج
ارائهشده در
مجموعه مقالات دومین کنفرانس بین المللی تحقیقات بین رشته ای در مهندسی برق، کامپیوتر، مکانیک و مکاترونیک در ایران و جهان اسلام30 شهریور 1398 · کرج