چکیده مقاله
روند رو به رشد سیستم های قابل حمل، طراحان حاظفه های SRAM را به سمت تکنولوژی های نوین برای کاهش سطح مصرفی و توان تراشه کشانده است در مقاله حاضر برای کاهش توان نشتی سلول حافظه SRAM استفاه از گرافن و تکنیک را پیشنهاد داده و نتایج حاصل از شبیه سازی را با سلول های سه ارزشی متداول دیگر مقایسه کرده ایم برای مقایسه توان، تاخیر و حاصل ضرب توان در تاخیر مدار پیشنهادی و سلول های متداول از نرم افزار Hspice بهره برده ایم در تکنیک sleep می توان با خاموش کردن منبع ولتاژ در وضعیت آماده به کار توان نشتی را به شدت کاهش داد، این روش با بکارگیری یک ترانزیستور P و یک ترانزیستور n به صورت سری با ترانزیستورهای بلوک منطقی شکل می گیرد در واقع این دو ترانزیستور یک پایه مجازی و یک منبع ولتاژ مجازی برای مدار به وجود می آورد که باعث بهبود مدار خواهد شد نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد سلول پیشنهادی دارای توان مصرفی کمتر در عملیات خواندن و نوشتن است نتایج شبیه سازی همچنین حاکی از آن است که توان نشتی سلول پیشنهادی در وضعیت آماده به کار، کمتر از سلول های متداول است
کلیدواژهها
نویسندگان
میلاد عمورزاده
گروه الکترونیک، واحد شهرقدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
مژده مهدوی
گروه الکترونیک، واحد شهرقدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
مهدی زارع
گروه الکترونیک، واحد شهر قدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
شیوه ارجاع
�مورزاده، میلاد و مهدوی، مژده و زارع، مهدی،1398،کاهش توان در SRAM سه ارزشی با استفاده از گرافن و تکنیک SLEEP،دومین کنفرانس بین المللی تحقیقات بین رشته ای در مهندسی برق، کامپیوتر، مکانیک و مکاترونیک در ایران و جهان اسلام،کرج
ارائهشده در
مجموعه مقالات دومین کنفرانس بین المللی تحقیقات بین رشته ای در مهندسی برق، کامپیوتر، مکانیک و مکاترونیک در ایران و جهان اسلام30 شهریور 1398 · کرج