بررسی سد پتانسیل تدریجی بر عملکرد ترانزیستور GaN HEMT
با پیشرفت فناوری های نوین، استفاده از قطعات نیمه هادی با فرکانس کاری وسرعت بالا ودر عین حال نویز وتوان م…
GaN HEMTسد پتانسیلموبیلیتی
پروفایل پژوهشگر
مریم شایع سبزوار
۱مقاله
۰کنفرانس