چکیده مقاله
با پیشرفت فناوری های نوین، استفاده از قطعات نیمه هادی با فرکانس کاری وسرعت بالا ودر عین حال نویز وتوان مصرفی پایین دراندازه های کوچکتر افزایش یافته است قطعات نیمه هادی برپایه GaN HEMT از این نوع می باشد در این مقاله عملکرد نمونه ای از این ترانزیستورها را با تغییر تدریجی دوپینگ سد پتانسیل از نظر مشخصه های خروجی قطعه بررسی میگردد تغییر دوپینگ به صورت افزایشی وکاهشی بوده که با حالت دوپینگ یکنواخت مقایسه میگردد شبیه سازی قطعه با نرم افزار Silvaco می باشد با توجه به نتایج بدست آمده از خروجی قطعه در سه حالت افزایشی،کاهشیویکنواخت مشخصه های قطعه در حالت کاهشی بهبود یافته است
کلیدواژهها
نویسندگان
مریم شایع سبزوار
دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد
سیدابراهیم حسینی
استادیار،دانشگاه فردوسی مشهد،دانشکده فنی مهندسی،گروه برق الکترونیک
شیوه ارجاع
�ایع سبزوار، مریم و حسینی، سیدابراهیم،1395،بررسی سد پتانسیل تدریجی بر عملکرد ترانزیستور GaN HEMT،دومین کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در مهندسی برق و علوم کامپیوتر،رامسر
ارائهشده در
مجموعه مقالات دومین کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در مهندسی برق و علوم کامپیوتر24 اردیبهشت 1395 · رامسر