تصویر سپهر ضرغامی
پروفایل پژوهشگر

سپهر ضرغامی

۱مقاله
۰کنفرانس

مقالات سپهر ضرغامی

مقاله کنفرانسی سال ۱۳۹۴ ۷۰۷ مشاهده

بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی

دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS hemt مورد بررسی قرارگرفت…

نقطه داغترانزیستورGaN-HEMTلایه موثرفلزی