چکیده مقاله
دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS hemt مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که اثر Si3N4 درنقطه داغ و چسبندگی بهتر ازSIO2 است اما عملکرد ترانزیستور را درمشخصه IDS/VDS کاهش میدهد استفاده ازیک لایه فلزی دربخش AlGaN دراین ترانزیستور علاوه بربهبود این مشخصه نقطه داغ را نیز میتوان کنترل کرد
کلیدواژهها
نویسندگان
سپهر ضرغامی
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
علی نرگسی خجسته
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
محمدمهدی کارخانه چی
دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
شیوه ارجاع
�رغامی، سپهر و نرگسی خجسته، علی و کارخانه چی، محمدمهدی،1394،بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه1 اسفند 1402 · ایرانشهر