تصویر علی نرگسی خجسته
پروفایل پژوهشگر

علی نرگسی خجسته

۱مقاله
۰کنفرانس

مقالات علی نرگسی خجسته

مقاله کنفرانسی سال ۱۳۹۴ ۷۰۷ مشاهده

بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی

دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS hemt مورد بررسی قرارگرفت…

نقطه داغترانزیستورGaN-HEMTلایه موثرفلزی