م مقاله کنفرانسی سال ۱۳۹۴ ۷۰۷ مشاهده بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS hemt مورد بررسی قرارگرفت… نقطه داغترانزیستورGaN-HEMTلایه موثرفلزی