حوزه علمی

ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی

مجموعه‌ای از مقالات و رویدادهای علمی مرتبط با «ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی» در نمایه علمی‌جو.

۲ مقاله ۰ کنفرانس ۲ ارتباط علمی
پژوهش‌های مرتبط

مقالات حوزه ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی

مقاله کنفرانسی سال ۱۳۹۵ ۵۳۳ مشاهده

ارایه یک سلول تمام جمع کننده باینری 12 ترانزیستوری جدید در مد ولتاژ با فناوری نانو

این مقاله یک سلول تمام جمع کننده باینری در مد ولتاژ با فناوری نانو لوله کربنی را مطرح میکند به دلیل ویژگیهای منحصر به فرد فناوری نانولوله کربنی همچون…

تمام جمع کنندهMOSFETتوان مصرفی
مقاله کنفرانسی سال ۱۳۹۵ ۴۷۶ مشاهده

بررسی تاثیر پیکربندی مجدد مدار با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بر حاصلضرب تاخیر در مصرف توان مدارهای تمام جمع کنندهمد جریان

در این مقاله، چهار مدار تمام جمع کننده مد جریان ارایه شده با فناوری CMOS با هم مقایسه می شوند سپس این مدارها باا ترانز یستورهایCNTFET پیکربندی مجدد ش…

تمام جمع کنندهمد جریانماسفت