بررسی تاثیر پیکربندی مجدد مدار با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بر حاصلضرب تاخیر در مصرف توان مدارهای تمام جمع کنندهمد جریان

چکیده مقاله

در این مقاله، چهار مدار تمام جمع کننده مد جریان ارایه شده با فناوری CMOS با هم مقایسه می شوند سپس این مدارها باا ترانز یستورهایCNTFET پیکربندی مجدد شده اند پارامتر حاصلضرب تاخیر در مصرف توان آنها در نرم افزار HSPICE و با شرایط یکسان، مقایسه و بهبودتقریبی 15 برابری PDP رویت می شود ضمن آنکه در پیاده سازی با CNTFET نیاز به خازن بار بزرگ نیست که می تواند منجر به بهبود چندده برابری PDP شود

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

مهدی میرزایی چرخی

دانشکده مهندسی کامپیوتر، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

سیدمحمدعلی زنجانی

دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

مهدی دولتشاهی

دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران

میرزایی چرخی، مهدی و زنجانی، سیدمحمدعلی و دولتشاهی، مهدی،1395،بررسی تاثیر پیکربندی مجدد مدار با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بر حاصلضرب تاخیر در مصرف توان مدارهای تمام جمع کنندهمد جریان،کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر،نجف آباد

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کامپیوتر3 اسفند 1395 · نجف آباد