ساختارنوین دیود اثرمیدانی با اتصال جانبی با نرخ ION/IOFF بالا در کاربرد نانو
دیود های اثر میدانی نسبت به ترانزیستورهای اثرمیدان، جریان حالت روشن بالاتر و جریان نشتی کمتری دارد اما برای طول کانال کمتر از 100 نانومتر خاموش نمی ش…
دیوداثرمیدانی FEDنسبت .ION/IOFFدیوداثرمیدانی با اتصال جانبی S FED