چکیده مقاله
دیود های اثر میدانی نسبت به ترانزیستورهای اثرمیدان، جریان حالت روشن بالاتر و جریان نشتی کمتری دارد اما برای طول کانال کمتر از 100 نانومتر خاموش نمی شود از این رو ساختارهای اصلاح شده دیود اثر میدانی M FED و S FED ارائه شده است در این مقاله، ساختار نوینی برای کاهش جریان خاموشی و افزایش جریان روشنی افزاره S FED پیشنهاد شده که DS FED نامیده می شود در ساختار DS FED با ایجاد دو مسیر جریان و کنترل کانال از طریق گیت های بالایی و پایینی، میزان جریان خاموشی و روشنی بهبود می یابد از این رو با مقایسه ساختار ارائه شده و S FED در طول کانال 25 نانومتر نشان داده می شود که جریان روشنی ION و خاموشی IOFF بهبود یافته و نسبت جریان حالت روشنی به جریان حالت خاموشی ION/IOFF که یکی از پارامترهای مهم درکاربردهای دیجیتال می باشد از مرتبه 10 3 در ساختار S FED به مرتبه 10 5 در ساختار جدید افزایش یافته است
کلیدواژهها
نویسندگان
آرش رضایی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان
عبدالله عباسی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان
شیوه ارجاع
�ضایی، آرش و عباسی، عبدالله،1398،ساختارنوین دیود اثرمیدانی با اتصال جانبی با نرخ ION/IOFF بالا در کاربرد نانو،ششمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران با نگاه کاربردی بر انرژی های نو،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات ششمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران با نگاه کاربردی بر انرژی های نو12 اردیبهشت 1398 · تهران