فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه
با اضافه کردن یک لایه عایق نازک دوم روی اکسید سیلیکون در لایه الماس در روش SOD میزان خازن حاشیه ای پارازیتی کاهش می یابد هنگامی که این لایه دوم باعث…
ولتاژ آستانهسیلیون روی الماسماسفت