فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه

چکیده مقاله

با اضافه کردن یک لایه عایق نازک دوم روی اکسید سیلیکون در لایه الماس در روش SOD میزان خازن حاشیه ای پارازیتی کاهش می یابد هنگامی که این لایه دوم باعث افزایش DIBL می شود اثر حرارت درونی یک رسانایی گرماییکمی را در لایه اکسید سیلیکون به وجود می آورد ترانزیستور سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه 1 هیچ کدام از معایب افزایش اثرات خودگرمایی و افزایش اثرات کانال کوتاه را ندارد در واقع این ساختار پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاهترانزیستور سیلیکون روی الماس را کاهش دهد در این ترانزیستور با توجه به عرض ناحیه عایق رویئن ، ولتاژ آستانه تغییرمی کند چگونگی این تغییرات نیازمند ارائه یک روش تحلیلی می باشد که به طور دقیق وابستگی ولتاژ آستانه به عرض عایق رویئن را نشان می دهد در این مقاله ما به بررسی این موضوع می پردازیم

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

معصومه احمدیان

دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

آرش دقیقی

دانشگاه شهرکرد

�حمدیان، معصومه و دقیقی، آرش،1394،فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه1 اسفند 1402 · ایرانشهر