بهبود مشخصه جریان ـ ولتاژ ترانزیستورGaN MOS-HEMT بالایه موثرفلزی
دراین مقاله تاثیر برمشخصه ی جریان ـ ولتاژ دونوع عایق درساختارترانزیستور GaN MOS hemt مورد بررسی قرارگرفته است نتایج نشان میدهد که اثر Si3N4 درنقطه دا…
نقطه داغترانزیستورGaN-HEMTلایه موثرفلزی