بررسی سد پتانسیل تدریجی بر عملکرد ترانزیستور GaN HEMT
با پیشرفت فناوری های نوین، استفاده از قطعات نیمه هادی با فرکانس کاری وسرعت بالا ودر عین حال نویز وتوان مصرفی پایین دراندازه های کوچکتر افزایش یافته ا…
GaN HEMTسد پتانسیلموبیلیتی