چکیده مقاله
نفوذ تقویت شده گذرا Transient Enhanced Diffusion –: نفوذ تقویت شده گذرا TED ، سیلیکون، نقص های نقطه ای، خودبینشینی، کاشت یونی، نفوذ بور TED یکی از پدیده های کلیدی و چالش برانگیز در فرآیند مهندسی دوپانت برای ادوات نیمه هادی مبتنی بر سیلیکون در مقیاس نانومتری محسوب می شود این پدیده عمدتا در اثر تولید غیرتعادلی نقص های نقطه ای، به ویژه خودبینشینی ها self interstitials ، در حین کاشت یونی و بازپخت حرارتی سریع ایجاد می گردد و منجر به افزایش موقت ضریب نفوذ دوپانت ها می شود در این مقاله، یک مدل فیزیکی پیشرفته مبتنی بر معادلات جفت شده نفوذ دوپانت و دینامیک نقص های نقطه ای ارائه شده است که قادر به توصیف رفتار TED در شرایط غیرتعادلی می باشد مدل ارائه شده با در نظر گرفتن تشکیل جفت های متحرک دوپانت–نقص، وابستگی دمایی ضرایب نفوذ و مکانیزم های بازترکیب، امکان پیش بینی دقیق پروفایل نفوذ بور در سیلیکون را فراهم می کند نتایج شبیه سازی نشان می دهد که اشباع موقت self interstitialها نقش غالبی در افزایش عمق پیوند و پهنای پروفایل دوپانت در مراحل اولیه بازپخت دارد همچنین، اثر پارامترهای فرآیندی نظیر دما و زمان بازپخت بر شدت TED بررسی شده و راهکارهایی برای کاهش این پدیده در فناوری های CMOS پیشرفته پیشنهاد می شود
کلیدواژهها
نویسندگان
سهیل صادقی
۱ دانشجوی کارشناسی ارشد گرایش مدارهای مجتمع الکترونیک، دانشکده میکروالکترونیک ، دانشگاه جامع امام حسین علیه السلام
Seyed Mohammad Alavi
۲ دانشیار گروه الکترونیک، دانشکده میکروالکترونیک ، دانشگاه جامع امام حسین علیه السلام
شیوه ارجاع
�ادقی، سهیل و علوی، سید محمد،1404،مدل سازی پیشرفته نفوذ تقویت شده گذرا (TED) در سیلیکون بر اساس دینامیک نقص های نقطه ای،بیست و نهمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک،شیروان
ارائهشده در
مجموعه مقالات بیست و نهمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک28 بهمن 1404 · شیروان