چکیده مقاله
با افزایش تقاضا برای سیستم های الکترونیکی کارآمدتر، فشرده تر و با قابلیت اطمینان بالاتر، الکترونیک قدرت با چالش های جدیدی روبرو شده است مبدل های قدرت به عنوان قلب این سیستم ها، نقش کلیدی در مدیریت و تبدیل انرژی ایفا می کنند بهره وری این مبدل ها به طور مستقیم بر مصرف انرژی، مدیریت حرارتی و هزینه های عملیاتی تاثیر می گذارد نیمه هادی های سنتی مبتنی بر سیلیکون Si به دلیل محدودیت های فیزیکی ذاتی، در دستیابی به بهره وری بالاتر و چگالی توان بیشتر به مرزهای خود رسیده اند این مقاله به بررسی و تحلیل نقش مواد نیمه هادی پیشرفته با باند گپ وسیع Wide Bandgap WBG ، به ویژه کاربید سیلیکون SiC و نیترید گالیم GaN ، در بهینه سازی بهره وری مبدل های قدرت می پردازد در این پژوهش، ضمن بررسی مبانی نظری تلفات در مبدل ها، ویژگی های برتر مواد WBG در مقایسه با سیلیکون مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرد همچنین، تاثیر این مواد بر کاهش تلفات هدایتی و سوئیچینگ، امکان افزایش فرکانس کاری، و بهبود مدیریت حرارتی به تفصیل شرح داده می شود در نهایت، چالش های موجود در پیاده سازی این فناوری ها و چشم انداز آینده الکترونیک قدرت مبتنی بر مواد WBG مورد بحث و نتیجه گیری قرار خواهد گرفت
کلیدواژهها
نویسندگان
شیوه ارجاع
کمالی نجات، سید داود،1404،بهینه سازی بهره وری مبدل های قدرت با استفاده از مواد نیمه هادی پیشرفته،بیست و هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک،شیروان
ارائهشده در
مجموعه مقالات بیست و هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک24 شهریور 1404 · شیروان