چکیده مقاله
یکی از اصلی ترین عملگرهای محاسباتی در مدارات مجتمع با مقیاس بسیار بالا نظیر ریزپردازنده ها و پردازش سیگنال های دیجیتال، جمع کننده ها می باشند توان مصرفی و تاخیر انتشار مهمترین پارامترهای کارایی در مدارات مجتمع با مقیاس بسیار بالا می باشند در این مقاله با هدف بهبود پارامترهای توان مصرفی و تاخیر انتشار، یک مدار جمع کننده ی ترکیبی با استفاده از ترانزیستورهای MOSFET ارایه شده است مدار پیشنهادی به همراه مدارات ارایه شده قبلی با استفاده از شبیه ساز HSPICE و در فناوری 32 نانومتر، شبیه سازی و تحلیل شده اند شبیه سازی مدارات به ازای فرکانس های متفاوت، خازن های بار متفاوت و ولتاژهای متفاوت انجام شده است طبق نتایج حاصل از شبیه سازی، مدار ترکیبی ارایه شده در این مقاله، پارامترهای توان مصرفی، تاخیر انتشار و انرژی مصرفی را به طور قابل ملاحظه ای بهبود بخشیده اند
کلیدواژهها
نویسندگان
رسول کاظمی
دانشکده مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران
اسماعیل زینالی
استادیار دانشکده مهندسی کامپیوتر و فناوری اطلاعات، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران
سیدسعید حاجی نصیری
استادیار دانشکده مهندسی برق، پزشکی و مکاترونیک، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، قزوین، ایران
شیوه ارجاع
کاظمی، رسول و زینالی، اسماعیل و حاجی نصیری، سیدسعید،1396،ارایه یک مدار تمام جمع کننده ترکیبی مبتنی بر ترانزیستورهای MOSFET با انرژی مصرفی حداقل،پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی19 بهمن 1396 · تهران