چکیده مقاله
روش پرداخت شیمیایی مکانیکی Chemical Mechanical Polishing CMP روشی نو برای پرداخت سطوح سرامیکهای پیشرفته با سختی بالا است از جمله ی این سرامیکها ساچمه های سیلیکون نیتراید Si3N4 هستندکه به دلیل داشتن چگالی پایین، مقاومت حرارتی بالا، سختی زیاد و در بلبرینگهای دور بالا و دقیق هیبریدی استفاده میشوند مشخصهی بارز فرایند فوق آن است که قطعه کار در داخل ظرفی که حاوی سیال و ذرات ساینده است قرار میگیرد و براده برداری توسط برخورد ذرات ساینده به سطح قطعهکار و همچنین توسط واکنشهای شیمیایی انجام شده در محیط ماشینکاری انجام میشود عوامل موثر در CMP شامل غلظت ذرات ساینده، نوع سیال، بار وارد بر ساچمه ها، نوع ذرات ساینده، اندازه ی ذرات، سرعت دوران اسپیندل و است که با تغییر هر یک از این پارامترها زبری سطح، کرویت، نرخ براده برداری و تغییر میکند در این تحقیقات برخی از عوامل فوق مورد بررسی قرار گرفتند در آزمایشهای انجام شده مشخص شد که با افزایش اندازهی ذرات ساینده در علظت ثابت، نرخ براده برداری کم، و زبری سطح زیادمی شود همچنین با افزایش غلظت ذرات ساینده، سرعت براده برداری زیاد و زبری سطح افزایش مییابد
کلیدواژهها
نویسندگان
مهرداد وحدتی
استاد یار دانشکده مهندسی مکانیک ،دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
سیدمرتضی سجادی حور
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مکانیک،دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
شیوه ارجاع
وحدتی، مهرداد و سجادی حور، سیدمرتضی،1390،بررسی تاثیر اندازه ذرات و غلظت سیال درفرآیند پرداخت شیمیایی– مکانیکی ساچمه های سیلیکون نیتراید (Si3N4)،دوازدهمین کنفرانس ملی مهندسی ساخت و تولید ایران،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات دوازدهمین کنفرانس ملی مهندسی ساخت و تولید ایران6 دی 1390 · تهران