بهبود مدارات فشرده ساز در ضرب کننده ها با استفاده از ترانزیستورهای فین فت

چکیده مقاله

در این مقاله کارایی مدار کمپرسور یک ساختار افزاره چند گیتی FinFET با ساختار تک گیتی سنتی MOSFET مقایسه میشود ابتدا به مدل سازی و شبیه سازی تمام جمع کننده 82 ترانزیستوری CMOS و فین فت با تکنولوژی 28 نانو متر با نرم افزار HSpice پرداختیم؛سپس اقدام به شبیه سازی فشرده ساز 2:8 با استفاده از طرح پیشنهادیمان کردیم و برای مقایسه بهتر فشرده ساز 2:8 را با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت نیز پیاده سازی نمودیم و مشاهده شد کهفشرده ساز 2:8 پیشنهادی مبتنی بر فین فت از علمکرد بالایی نسبت به نمونه CMOS برخوردار بوده و در عین حال بطور چشمگیری تعداد ترانزیستورها کاهش یافته است

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

نرگس فیضیان

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه لرستان

عباس رمضانی

استاد برق الکترونیک دانشگاه لرستان

فیضیان، نرگس و رمضانی، عباس،1394،بهبود مدارات فشرده ساز در ضرب کننده ها با استفاده از ترانزیستورهای فین فت،کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات سومین کنفرانس ملی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه1 اسفند 1402 · ایرانشهر