بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی حلقوی به کمک استفاده از مواد اپتوفلوییدی

چکیده مقاله

در این مقاله ساختار حلقوی کریستال فوتونی برای تقویت رامان بررسی میشود سپس به کمک استفاده از مواد اپتوفلوییدی در حفرههای 2 سوی مسیر عبور سیگنال، میزان سرعت گروه پمپ و سیگنال کاهش مییابد که سبب افزایش بهره رامان میشود برای دستیابی به بهره رامان بزرگتر، از ساختار 2 حلقه کمک میگیریم و نرخ ارسال بیت را در تمامی ساختارها، بررسی میکنیم در این ساختارها، معادلات ماکسول به روش FDTD و با درنظر گرفتن اثرات غیرخطی جذب دو فوتونی، جذب حامل آزاد، اثر کر و مدلاسیون فاز خودی در موجبر کریستال فوتونی هایبرید حل میشوند در این مقاله، از ساختاری با طول 100μm، بهره رامان 19/01 dB و نرخ بیت 0/6493 ×1012 pulse/sec حاصل شده است

کلیدواژه‌ها

نویسندگان

امیره سیدفرجی

دانشیار گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران

�یدفرجی، امیره،1396،بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی حلقوی به کمک استفاده از مواد اپتوفلوییدی،پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی،تهران

ارائه‌شده در

مجموعه مقالات پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی19 بهمن 1396 · تهران