چکیده مقاله
در این مقاله به بررسی اتصال بدنه زیر سورس1 در تراتزیستور سیلیکون روی عایق2 با طول کانال 45 نانومتر و مقایسه آن با ترانزیستور اتصال بدنه مرسوم3 و تاثیر آن بر مقاومت درین_سورس میپردازیم در ترانزیستور سیلیکون روی عایق با اتصال بدنه از طریق زیر سورس، با اعمال ناحیه ای با ناخالصی P زیر اتصال سورس و ایجاد اتصال بدنه با ناحیه ناخالصی P در فاصله ای معین مجانب سورس، مسیری ایجاد میگردد تا حفره های بدنه به زمین منتقل شوند در این مقاله با انجام شبیه سازی دو بعدی با استفاده از نرم افزار ISE TCAD و استخراج شاخصه های خروجی نشان داده می شود که ترانزیستور سیلیکون روی عایق با اتصال بدنه زیر سورس در مقایسه با ترانزیستور مرسوم دارای معایبی از جمله افزایش مقاومت درین _ سورس، افزایش حجم ترانزیستور و اشغال فضای زیاد میباشد و از مزایای آن میتوان به کاهش مقاومت بدنه ترانزیستور اشاره کرد
کلیدواژهها
نویسندگان
مرضیه نمازی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
آرش دقیقی
دانشیار گروه برق الکترونیک، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
مهدی دولتشاهی
استادیار گروه برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
شیوه ارجاع
نمازی، مرضیه و دقیقی، آرش و دولتشاهی، مهدی،1396،شبیه سازی ترانزیستور 45 نانومتر سیلیکون روی عایق با اتصال بدنه زیر سورس و مقایسه آن با ترانزیستور مرسوم،پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی19 بهمن 1396 · تهران