چکیده مقاله
در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده CMOS که در سلول بهره آن از ترکیب دو ساختار کسکود تنظیم شده استفاده شده ارایه و در تکنولوژی 0 13 µm CMOS شبیه سازی شده است توپولوژی ارایه شده در این مقاله باعث می شود تا پهنای باند این تقویت کننده به صورت چشمگیری افزایش یابد از مزیت های مهم دیگر این طراحی می توان به بهره بالا، نویز خیلی کم و حفظ کامل تطبیق امپدانس ورودی و خروجی اشاره نمود که در مقایسه با کارهای انجام شده در این تکنولوژی برتری آن کاملا0 محسوس می باشد تعداد طبقات تقویت کننده در بهینه ترین حالت محاسبه شده و تعداد آن سه طبقه می باشد بهره تقویت کننده پیشنهادی 16/7±0/6 و پهنای باند 3 dB آن 26/5 گیگا هرتز می باشد تطبیق امپدانس ورودی و خروجی و ایزولاسیون معکوس بسیار خوب از مزیت های دیگر آن بوده که باعث پایداری بیشتر تقویت کننده گردیده است نویز این تقویت کننده نیز دارای مقدار میانگین dB 2/86 می باشد و توان مصرفی آن 51/54 میلی وات می باشد
کلیدواژهها
نویسندگان
علیرضا قناعت پیشه
دانشجوی کارشناسی ارشد گرایش الکترونیک دانشگاه شهید باهنر کرمان
احمد حکیمی
دانشیار گروه مهندسی برق گرایش الکترونیک دانشگاه شهید باهنر کرمان
شیوه ارجاع
قناعت پیشه، علیرضا و حکیمی، احمد،1396،طراحی یک تقویت کننده توزیع شده جدید با پهنای باند بالا و نویز کم در تکنولوژی 0/13 CMOSمیکرومتر،پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی19 بهمن 1396 · تهران