چکیده مقاله
این مقاله، طرحی را برای یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند CMOS و با توان کم ارایه می دهد که از یک تکنیک حذف نویز با فرآیند TSMC 0 18 μm RF استفاده می کند UWB LNA پیشنهادی از یک ساختار استفاده دوباره از جریان استفاده می کند تا به جای استفاده از یک طبقه آبشاری، مصرف توان کل را کاهش دهد این ساختار، همان مقدار جریان DC برای اجرای همزمان دو ترانزیستور را مصرف می کند استفاده از تکنیک تنظیم یک در میان، برای دستیابی به یکنواختی بهره در فرکانس موردنظر گزارش شده است تا نقاط فرکانس تشدیدی پایین و بالا را روی کل پهنای باند از 3,1 تا 10,6 گیگا هرتز داشته باشیم نقاط تشدید از 3 گیگا هرتز تا 10 گیگا هرتز تنظیم شدند تا یکنواختی بهره کافی و اتلاف بازتابشی برگشتی را موجب شوند بعلاوه، تکنیک حذف نویز برای حذف منبع غالب نویز استفاده شد که توسط اولین ترانزیستور تولید می شود نتایج شبیه سازی یک بهره تخت و یکنواخت 10 dB > S21 را با یک امپدانس ورودی خوب کمتر از 10 دسی بل و نیز یک مینیمم رقم نویز 2 دسی بل روی کل باند نشان می دهند UWB LNA پیشنهادی، 15,2 میلی وات از یک منبع توان1,8 ولتی را مصرف می کند
کلیدواژهها
نویسندگان
محمدامین کمالی
کارشناسی ارشد مهندسی برق دانشگاه شهید باهنر کرمان
احمد حکیمی
دانشیار گروه برق دانشگاه شهید باهنر کرمان
شیوه ارجاع
کمالی، محمدامین و حکیمی، احمد،1396،طراحی یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند CMOS با توان کم،پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی19 بهمن 1396 · تهران