چکیده مقاله
در این مطالعه ما با طراحی ساختار جدید TFET به عنوان ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی عمودی FAVFET به پتانسیل مقیاس پذیری قابل مقایسه با FinFET رسیدیم و با اضافه شدن مزایای پیچیدگی فرایند ذخیره سازی که بسیار ذخیره شده است همچنین، ما عمدتا بر طراحی و اجرای ترانزیستور اثر میدان تونلی بر پایه سیلیکون ژرمانیوم تمرکز کرده ایم، با هدف کاهش ولتاژ کارکرد دستگاه تا کمتر از 0 5V می باشد ما مدل سازی TCAD را با توجه خاصی به تغییر ساختار باند سیگنیک ژرمانیوم سیلیکون انجام دادیم
کلیدواژهها
نویسندگان
غلامرضا لشکری
دانشجو، دانشکده برق و کامپیوتر ، دانشگاه آزاد اسلامی ماهشهر
ایمان عباس پور کازرونی
استادیار گروه مهندسی برق، مجتمع آموزش عالی فنی مهندسی اسفراین، اسفراین
هادی مهدی پور حسین آباد
استادیار گروه مهندسی برق، مجتمع آموزش عالی فنی مهندسی اسفراین، اسفراین
شیوه ارجاع
لشکری، غلامرضا و عباس پور کازرونی، ایمان و مهدی پور حسین آباد، هادی،1397،ترانزیستور اثر میدان تونلی بر پایه سیلیکون و ژرمانیوم برای محاسبه توان کم،چهارمین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در برق و کامپیوتر و صنایع،اسفراین
ارائهشده در
مجموعه مقالات چهارمین کنفرانس ملی دستاوردهای نوین در برق و کامپیوتر و صنایع18 مهر 1397 · اسفراین