چکیده مقاله
اولین ترانزیستور در سال۱۵۹۱عرضه شد و میتوان آن را به عنوان یکی از مهمترین اختراعات قرن بیستم در نظر گرفت این المان نیمه هادی به سرعت در حال توسعه است و تا امروز انواع مختلفی از ترانزیستورها معرفی شده است ترانزیستور می توان با اعمال تغییر در یک سیگنال کوچک به عنوان ورودی، تغییراتی در یک سیگنال بسیار بزرگتر به عنوان خروجی را انجام داد ترانزیستورهای ماسفت وبیجیتی هر دو جزو قطعات نیمه هادی الکترونیکی هستند که می توانند به عنوان کلید یا تقویت کننده در مدارات الکترونیک استفاده می شود اولین نوع ترانزیستورBJT ترانزیستور پیوند دو قطبی است و ماسفت ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز نوع دیگری از ترانزیستور است در این مقاله به بررسی مقایسه اصلی بین ترانزیستور بیجیتی BJT و ترانزیستور MOSFET میپردازیم
کلیدواژهها
نویسندگان
احمدرضا بنی شریف
کارشناسی ارشد، گروه برق الکترونیک ، مرکز آموزش عالی علمی کاربردی تعاونی پیام شهرکرد و سازمان آموزش فنی و حرفه ای
محمد قائدی
دانشجوی کارشناسی، مهندسی فناوری الکترونیک صنعتی، مرکز آموزش عالی علمی کاربردی تعاونی پیام شهرکرد
شیوه ارجاع
�نی شریف، احمدرضا و قائدی، محمد،1403،مروری بر ترانزیستورهای FET نسبت به ترانزیستورهایBJT،بیست و پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک،شیروان
ارائهشده در
مجموعه مقالات بیست و پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک21 اسفند 1403 · شیروان