فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه
با اضافه کردن یک لایه عایق نازک دوم روی اکسید سیلیکون در لایه الماس در روش SOD میزان خازن حاشیه ای پارازیتی کاهش می یابد هنگامی که این لایه دوم باعث…
مجموعهای از مقالات و رویدادهای علمی مرتبط با «ولتاژ آستانه» در نمایه علمیجو.
با اضافه کردن یک لایه عایق نازک دوم روی اکسید سیلیکون در لایه الماس در روش SOD میزان خازن حاشیه ای پارازیتی کاهش می یابد هنگامی که این لایه دوم باعث…
در این مقاله یک مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی کانال ترانزیستور ماسفت دوگیتی دومادهای متقارن در حضور حاملهای بار آزاد کانال ارایه میشود پتان…
در این مقاله با بهرهگیری از شبیه سازی با استفاده از نرم افزار سیلواکو به بررسی ویژگی های ماسفتهای PD SOI و ارایه ساختاری به منظور بالا بردن بازدهی ای…
در این مقاله، به کمک شبیهسازی ادوات نیمههادی، ولتاژ آستانه را در یک ساختار سیلیکون روی الماس با کانال کوتاه و عایق دولایه بدست آوردهایم در این ساختار…
با رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، چالشهای فراوانی را نیز فراروی متخصصین الکترونیک قرار داده است برخی از این چالشه…