چکیده مقاله
در این پژوهش، تاثیر تغییر شار گاز اکسیژن بر استوکیومتری و آهنگ لایه نشانی لایه های نازک اکسید تنگستن WO تهیه شده به روش کندوپاش پالسی با توان بالا HiPIMS مورد بررسی قرار گرفته است لایه ها با استفاده از هدف تنگستن خالص و در اتمسفر مخلوط آرگون اکسیژن بر روی زیرلایه شیشه ای لایه نشانی شدند با افزایش شار اکسیژن تغییر قابل توجهی در ترکیب شیمیایی، استوکیومتری و نرخ رشد لایه ها مشاهده شد نتایج نشان می دهد که افزایش سهم اکسیژن منجر به کاهش آهنگ لایه نشانی به دلیل پدیده مسمومیت هدف و افزایش برخوردهای غیرکشسان در پلاسما می شود در حالی که استوکیومتری لایه ها به سمت WO۳ نزدیک می گردد این نتایج اهمیت کنترل دقیق شار اکسیژن را در بهینه سازی خواص لایه های WO برای کاربردهای اپتوالکترونیکی و الکتروکرومیک نشان می دهد
کلیدواژهها
استوکیومتری آهنگ لایه نشانی اکسید تنگستن شار اکسیژن هایپیمز
نویسندگان
حامد نجفی آشتیانی
دانشیار دانشگاه ولایت، ایرانشهر
شیوه ارجاع
نجفی آشتیانی، حامد،1404،بررسی استوکیومتری و آهنگ لایه نشانی اکسید تنگستن با تغییر شار گاز اکسیژن در فرایند هایپیمز (HiPIMS)،پنجمین همایش ملی و نخستین همایش بین المللی محاسبات نرم علوم مهندسی در صنعت و جامعه،ایرانشهر
ارائهشده در
مجموعه مقالات دهمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران26 بهمن 1404 · ایرانشهر