چکیده مقاله
در فرآیند ساخت نیمه رساناها، فناوری کاشت یون به عنوان یکی از ارکان بنیادین در مهندسی مواد و طراحی مدارهای مجتمع شناخته می شود دستگاه کاشت یون، که در اصل یک شتاب دهنده ذرات با ولتاژ بالا است، با تولید پرتوهای یون های ناخالصی و هدایت آن ها به سطح ویفر سیلیکونی، امکان کنترل دقیق پروفایل دوپینگ را فراهم می سازد این فناوری از دهه ۱۹۶۰ میلادی آغاز شد و با گذر زمان، تحولات چشمگیری در طراحی تجهیزات، کنترل فرآیند، و بهینه سازی عملکرد آن صورت پذیرفت در نخستین نسل های ایمپلنتر، تمرکز بر دستیابی به انرژی های بالا و جریان های یونی پایدار بود؛ اما با پیشرفت فناوری، نیاز به دقت بیشتر در توزیع عمق، یکنواختی پرتو، و کاهش آسیب های ساختاری، موجب توسعه اجزایی چون سیستم های تحلیل جرمی، ستون های شتاب دهنده چندمرحله ای، و اسکنرهای دو محوره شد همچنین، به کارگیری تله های خنثی سازی و کنترل شار یونی، نقش بسزایی در افزایش بازدهی و کاهش آلودگی سطحی ایفا کرده اند امروزه، دستگاه های کاشت یون با بهره گیری از کنترل کننده های فرآیند بلادرنگ، حسگرهای نوری، و الگوریتم های بهینه سازی، به سطحی از پیچیدگی و دقت رسیده اند که امکان تولید ساختارهای نانومتری با خواص الکتریکی و مکانیکی ممتاز را فراهم می سازد بررسی تاریخچه و عملکرد این دستگاه ها، نه تنها نشانگر مسیر تکامل فناوری نیمه رساناهاست، بلکه چشم اندازی روشن از آینده ی ساختارهای هوشمند و مواد پیشرفته ارائه می دهد
کلیدواژهها
نویسندگان
محمدمهدی رفیعی
۱ دانشجوی ارشد دانشکده میکروالکترونیک، دانشگاه جامع امام حسین ع ، شهر تهران، کشور ایران
Seyed Mohammad Alavi
۲ دانشیار دانشکده میکروالکترونیک، دانشگاه جامع امام حسین ع ، شهر تهران، کشور ایران
شیوه ارجاع
�فیعی، محمدمهدی و علوی، سید محمد،1404،تحولات فناورانه و بررسی عملکرد دستگاه کاشت یون در مهندسی نیمه رسانا،بیست و نهمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک،شیروان
ارائهشده در
مجموعه مقالات بیست و نهمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک28 بهمن 1404 · شیروان