چکیده مقاله
در این مقاله ساختارهای فتونیکی یک بعدی شامل لایه های ۷۵ نانومتری از مواد دی الکتریک مختلف TiO۲, PMMA، SiO۲, Al۲O۳ که حفره های استوانه ای با شعاع متغیر و نانوذرات نقره ی کروی ۵۰ نانومتری در درون آنها قرار گرفته اند بررسی شده است با تحلیل طیف جذب نوری و شدت میدان الکتریکی موضعی نشان داده می شود که مواد با ضریب شکست بالاتر مانند Al۲O۳, TiO۲ موجب افزایش قابل توجه جذب و متمرکز شدن میدان می شوند، در حالی که برای مواد با ضریب شکست پایین SiO۲, PMMA این بهبود ضعیف تر است عوامل اصلی شامل اختلاف ضریب شکست تضاد بالای ضریب شکست برای ایجاد باند گپ فوتونی و تطابق طیفی بین باند فوتونی و طول موج پلاسمون سطحی نانوذرات می باشند همچنین افزایش شعاع حفره ها موجب کاهش شاخص شکست متوسط و جابجایی لبه باند فوتونی شده که می تواند جذب را تحت تاثیر قرار دهد در نهایت نشان داده می شود که چنین ساختارهای ترکیبی فتونیک/پلاسمونیک در صورت طراحی مناسب می توانند با بهبود تله نوری و میدان های موضعی، عملکرد سامانه های پلاسمونیک را بهبود بخشند، امری که در شبیه سازی ها و با مقایسه با حالت مرجع نانوذره بدون ساختار فتونیکی مشهود است
کلیدواژهها
نویسندگان
شیوه ارجاع
کوهزادیان، رضا و جمشیدی زوارکی، اصغر،1404،بررسی ساختارهای فتونیکی نانومقیاس چندلایه با نانوذرات نقره تاثیر نوع ماده و اندازه حفره،چهارمین کنفرانس بین المللی تحقیقات پیشرو دانشجویان نانو فناوری،تهران
ارائهشده در
مجموعه مقالات چهارمین کنفرانس بین المللی تحقیقات پیشرو دانشجویان نانو فناوری31 شهریور 1404 · تهران