چکیده مقاله
پدیده سیخک زنی آلومینیوم–سیلیکون Al–Si Spiking یکی از چالش های اساسی در فرآیند متالیزاسیون مدارهای مجتمع با مقیاس ادغام بسیار بالا VLSI محسوب می شود که با کاهش مداوم ابعاد ترانزیستورها و کم عمق شدن پیوندهای p–n اهمیت آن به طور چشمگیری افزایش یافته است این پدیده عمدتا ناشی از حل شدن و نفوذ سیلیکون در آلومینیوم طی فرآیندهای حرارتی پس از متالیزاسیون بوده و می تواند منجر به نفوذ موضعی آلومینیوم به درون بستر سیلیکونی، اتصال کوتاه پیوندها، افزایش جریان نشتی و کاهش بازده ساخت گردد در این مقاله، با رویکردی آموزشی–تحلیلی، ابتدا سیستم دوتایی آلومینیوم–سیلیکون و ویژگی های ترمودینامیکی آن بررسی شده و سپس مبانی سینتیکی نفوذ و مکانیزم فیزیکی شکل گیری سیخک زنی تشریح می گردد در ادامه، تاثیر پارامترهای کلیدی فرآیندی نظیر دمای و زمان بازپخت، عمق پیوند و پروفایل دوپینگ بر شدت این پدیده مورد تحلیل قرار می گیرد همچنین، روش های مهندسی متداول برای کاهش یا حذف سیخک زنی شامل آلیاژسازی آلومینیوم با سیلیکون، استفاده از لایه پلی سیلیکون و به کارگیری لایه های سد فلزی به صورت مقایسه ای بررسی می شوند نتایج ارائه شده با تکیه بر مطالعات منتشرشده در کنفرانس ها و ژورنال های معتبر بین المللی تدوین شده و می تواند به عنوان مرجعی مناسب برای طراحی فرآیندهای متالیزاسیون در فناوری های VLSI مورد استفاده قرار گیرد
کلیدواژه‌ها
نویسندگان
کمال خوب بخت
۱ دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک گرایش میکروالکترونیک ، دانشکده و پژوهشکده میکروالکترونیک ، دانشگاه جامع امام حسین علیه السلام
سید محمد علوی
۲ دانشیار گروه الکترونیک ، دانشکده و پژوهشکده میکروالکترونیک ، دانشگاه جامع امام حسین علیه السلام
شیوه ارجاع
�وب بخت، کمال و علوی، سید محمد،1404،بررسی ترمودینامیکی و سینتیکی پدیده سیخک زنی آلومینیوم–سیلیکون و روش های مهندسی کنترل آن در فناوری های VLSI،بیست و نهمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک،شیروان
ارائه‌شده در
مجموعه مقالات بیست و نهمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک28 بهمن 1404 · شیروان