چکیده مقاله
کاشت یون به عنوان یکی از فرآیندهای کلیدی در فناوری ساخت ادوات نیمه هادی، به منظور کنترل دقیق نوع و غلظت ناخالصی ها در ویفرهای سیلیکونی به کار گرفته می شود با این حال، این فرآیند به طور اجتناب ناپذیر موجب ایجاد آسیب های ساختاری در شبکه بلوری سیلیکون و غیرفعال ماندن بخشی از ناخالصی های کاشته شده می گردد که می تواند خواص الکتریکی ماده را به طور قابل توجهی تحت تاثیر قرار دهد ازاین رو، به کارگیری یک فرآیند بازپخت حرارتی مناسب پس از کاشت یون، امری ضروری تلقی می شود در این پژوهش، نقش بازپخت حرارتی سریع در ترمیم آسیب های بلوری و بهبود خواص الکتریکی ویفرهای سیلیکونی پس از کاشت یون مورد بررسی و تحلیل قرار گرفته است فرآیند RTA با بهره گیری از نرخ های گرمایش بالا و زمان های بازپخت بسیار کوتاه، امکان دستیابی به دماهای بالا را بدون ایجاد نفوذ ناخواسته ناخالصی ها فراهم می سازد این ویژگی، RTA را به گزینه ای کارآمد در مقایسه با روش های متداول بازپخت کوره ای تبدیل کرده است نتایج بررسی ها نشان می دهد که بازپخت حرارتی سریع نقش موثری در بازآرایی شبکه بلوری، کاهش نواقص ساختاری و افزایش راندمان فعال سازی الکتریکی ناخالصی ها ایفا می کند همچنین، بهبود پارامترهایی نظیر مقاومت ویژه، تحرک حامل ها و یکنواختی خواص الکتریکی سطح ویفر، از پیامدهای مستقیم به کارگیری صحیح این فرآیند است تحلیل پارامترهای موثر در RTA، از جمله دمای اوج، نرخ گرمایش و یکنواختی دما، بیانگر آن است که کنترل دقیق این عوامل تاثیر بسزایی در عملکرد نهایی ادوات نیمه هادی دارد در مجموع، نتایج این مطالعه بر اهمیت و کارآمدی بازپخت حرارتی سریع به عنوان یکی از مراحل اساسی در فناوری های پیشرفته ساخت نیمه هادی تاکید داشته و می تواند مبنایی مناسب برای بهینه سازی فرآیندهای صنعتی و پژوهش های آتی در این حوزه فراهم آورد
کلیدواژهها
نویسندگان
شیوه ارجاع
�فیعی، محمدمهدی و علوی، سید محمد،1404،بررسی نقش بازپخت حرارتی سریع (RTA) در بهبود خواص الکتریکی ویفرهای سیلیکونی پس از کاشت یون،بیست و نهمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک،شیروان
ارائهشده در
مجموعه مقالات بیست و نهمین کنفرانس ملی مهندسی برق ،کامپیوتر و مکانیک28 بهمن 1404 · شیروان